BM60212 高低压侧驱动器

ROHM 的驱动器工作电压最高1200 V,可驱动 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT

ROHM BM60212 高低压侧驱动器的图片ROHM 的 BM60212FV-C 是高压侧和低压侧驱动器 IC,工作电压最高 1200 V,具有自举运行,可驱动 N 沟道功率 MOSFET 和 IGBT。内置欠压锁定 (UVLO) 功能和米勒钳位功能。

特性
  • 通过 AEC-Q100 鉴定
  • 高侧浮动电源电压 1200 V
  • 有源米勒钳位
  • 欠压锁定功能
  • 3.3 V 和 5.0 V 输入逻辑兼容 1 级
  • 最大栅极驱动电压:24 V
  • MOSFET 栅极驱动器
  • IGBT 栅极驱动器
  • 高侧浮动电源电压:1200 V
  • 开启/关闭时间:75 ns(最大值)
  • 逻辑输入最小脉冲宽度:60 ns

典型应用电路

典型应用电路图片

BM60212 High- and Low-Side Driver

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IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOPBM60212FV-CE2IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 20SSOP2561 - 立即发货$50.55查看详情
发布日期: 2019-08-12