600 V 和 650 V 超级结 MOSFET

PANJIT 的 MOSFET 经过优化,可为电源转换电路设计提供简单高效的设计支持

PANJIT 的 600V/650V 超级结 MOSFET 图片PANJIT 超级结 MOSFET 经过优化,可为 AC/DC 和 DC/DC 转换器等设备中的电源转换电路设计提供简单高效的设计支持。PANJIT 的第一代超级结 MOSFET 具有合适开关性能和低 RDS(ON),热耗散低,可使系统尺寸更小,从而降低设计工程师的系统设计难度。超级结 MOSFET 的稳健性也是正确设计系统以获得更高可靠性系统性能的关键因素。

PANJIT 的超级结 MOSFET 提供出色的体二极管 di/dt 稳健性。这种体二极管的稳健性可以使 LLC 和移相全桥转换器等系统更加可靠。不用考虑体二极管失效情况,可以降低设计复杂性。有了体二极管出色的稳健性,设计人员可以更加专注于系统性能。非常稳定的开关性能是 PANJIT 超级结 MOSFET 的关键性能之一。PANJIT 的超级结 MOSFET 专为追求较低电压尖峰和振荡的设计而开发,以帮助设计人员减少 PCB 设计工作量,从而以更高的灵活性跟进系统设计,因此使采用 PANJIT 超级结 MOSFET 的系统具有更低的 EMI 应力,以及合适的系统性能。有了 PANJIT 超级结 MOSFET,优秀的工程师或研发开发人员就可以最大限度地提高系统性能和系统可靠性,最终延长系统工作寿命。

特性
  • 体二极管能力的稳健性
  • 低 FOM
  • 高效率
  • 高品质
  • 良好的 EMI 性能
应用
  • 基站
  • 电脑电源供应商
  • 家电
  • 游戏适配器
  • PD 充电器

TVS Diodes

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发布日期: 2022-05-13