NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S 碳化硅 MOSFET

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            NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S 碳化硅 MOSFET
  
                    onsemi 的 NTH4L040N120M3S 和 NTHL022N120M3S SiC MOSFET 适用于快速开关应用

onsemi 的 NTH4L040N120M3S 和 NTHL022N120M3S SiC Mosfets 图片 onsemi 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列、1200 V M3S 平面 EliteSiC 和 SiC MOSFET 针对快速开关应用进行了优化。平面技术能在负栅极电压驱动、栅极关断尖峰电压下可靠工作。该 EliteSiC 和 SiC 系列在使用 18 V 栅极驱动器驱动时可提供最佳性能，而且在使用 15 V 栅极驱动器时也能很好地工作。

特性

NTH4L040N120M3S

典型值 R_DS(on) = 40 m @ V_GS = 18 V
超低栅极电荷 (Q_G(tot) = 75 nC)
低电容高速开关 (C_oss = 80pF)
100% 通过雪崩测试
无卤化物且符合 RoHS 豁免 7(a)、无铅二级互连 (2LI)

NTHL022N120M3S

典型值 R_DS(on) = 22 m @ V_GS = 18 V
超低栅极电荷 (Q_G(tot) = 137 nC)
低有效输出电容 (C_oss = 146 pF)
100% 通过雪崩测试
无卤化物且符合 RoHS 豁免 7(a)、无铅 2LI

应用

太阳能逆变器
电动汽车充电站
不间断电源 (UPS)

储能系统
开关模式电源 (SMPS)

NTH4L040N120M3S/NTHL022N120M3S SiC MOSFETs

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		NTHL022N120M3S	SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI	187 - 立即发货 2700 - 厂方库存	$138.71	查看详情