NXP Semiconductors

LDMOS 射频功率晶体管

NXP 的 LDMOS 射频功率晶体管采用标准的 TO-247 和 TO-220 封装

NXP 的 LDMOS 射频功率晶体管图片NXP Semiconductors 提供两个电源模块，有望扩展射频功率产业并成为未来几年的标准。这些 LDMOS 晶体管的简单性在于无处不在的 TO-247 和 TO-220 功率封装还具有射频功率能力，从而易于安装。TO-247 和 TO-220 封装可使安装射频功率晶体管采用简单的通孔技术，因此无需复杂的回流焊工艺，大大简化了制造。紧凑型参考电路可在 1.8 MHz 至 250 MHz 范围内重复使用，从而为大多数 HF 和 VHF 系统节省大量成本并简化供应链。

特性
  • 频段内的 PA 设计重复使用
    • MRF300AN 由一系列共享相同 PCB 布局 (2" x 3” 或 5.1 cm x 7.1 cm) 的窄带参考电路支持，从而使得射频设计人员能够生成功率放大器以快速处理其他频率
  • 二引脚配置可实现宽带设计
    • 100 W 和 300 W 解决方案均采用 2 引脚相互映射的方式，以支持推挽式配置
  • 成本低廉、安装灵活
    • 许多安装选项提供了极大的灵活性，有助于进一步缩短物料清单和上市时间
    • 无处不在的 TO-247 和 TO-220 封装可采用简单的通孔技术安装射频功率晶体管，无需复杂的回流焊工艺，显著提高了制造过程中的可用性
应用
  • 工业、科技和医疗 (ISM)
    • 激光发生
    • 等离子蚀刻
    • 粒子加速器
    • MRI 和其它医疗应用
    • 工业加热、焊接和干燥系统
  • 广播
    • 无线电广播
    • VHF TV 广播
  • 开关模式电源
  • 航空航天
    • VHF 全向性范围 (VOR)
    • HF 和 VHF 通信
    • 雷达
  • 移动无线电
    • VHF 和 UHF 基站
    • 业余无线电

LDMOS RF Power Transistors

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Development Boards

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发布日期： 2018-06-20

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