分离栅技术 MOSFET

MCC 的分离栅技术 MOSFET 可满足应用对节省空间和高效率的要求

MCC 的分离栅技术 MosFET 图片Micro Commercial Components 分离栅技术 MOSFET 具有极低的 RDS(on) 值,并允许在较小的封装中提供更高的电流密度。这使其能满足在应用中节省空间和高效率的要求。

分离栅技术的优势
  • 增大 BVDSS
  • 漂移区中较高的 N 掺杂使 RDS(on) 最小化
  • 降低 QGD,减少米勒电荷耦合
  • 改进的 FOM 减少了开关和传导损耗
  • 当前 SGT 产品组合普通封装的额定电压范围为 30 V 至 150 V,最低 RDS(on) 为 1.5 mΩ
特性和优势
  • 各种 LV MOSFET 产品组合
  • 低 RSP 值(特定导通电阻)
  • 高效率
  • 高品质
  • 交货快

Split-Gate Technology MOSFET's

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
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MOSFET N-CH 60V 85A DFN5060MCAC85N06Y-TPMOSFET N-CH 60V 85A DFN50600 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期: 2020-05-22