分离栅技术 MOSFET

MCC 的分离栅技术 MOSFET 可满足应用对节省空间和高效率的要求

MCC 的分离栅技术 MosFET 图片Micro Commercial Components 分离栅技术 MOSFET 具有极低的 RDS(on) 值,并允许在较小的封装中提供更高的电流密度。这使其能满足在应用中节省空间和高效率的要求。

分离栅技术的优势
  • 增大 BVDSS
  • 漂移区中较高的 N 掺杂使 RDS(on) 最小化
  • 降低 QGD,减少米勒电荷耦合
  • 改进的 FOM 减少了开关和传导损耗
  • 当前 SGT 产品组合普通封装的额定电压范围为 30 V 至 150 V,最低 RDS(on) 为 1.5 mΩ
特性和优势
  • 各种 LV MOSFET 产品组合
  • 低 RSP 值(特定导通电阻)
  • 高效率
  • 高品质
  • 交货快

Split-Gate Technology MOSFET's

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 100 80A DFN5060MCAC80N10Y-TPMOSFET N-CH 100 80A DFN506020555 - 立即发货
1 : ¥22.49
剪切带(CT)
5000 : ¥6.62
卷带(TR)
1 : ¥22.49
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MOSFET N-CH 60V 5A SOT23-6SIL05N06-TPMOSFET N-CH 60V 5A SOT23-60 - 立即发货
1 : ¥5.71
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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MOSFET N-CH 60 30A DFN5060MCAC30N06Y-TPMOSFET N-CH 60 30A DFN50604 - 立即发货
1 : ¥8.60
剪切带(CT)
5000 : ¥2.29
卷带(TR)
1 : ¥8.60
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MOSFET N-CH 45 80A DFN5060MCAC80N045Y-TPMOSFET N-CH 45 80A DFN50600 - 立即发货
1 : ¥17.70
剪切带(CT)
5000 : ¥4.77
卷带(TR)
1 : ¥17.70
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MOSFET N-CH DFN5060MCAC10H045Y-TPMOSFET N-CH DFN50600 - 立即发货
1 : ¥22.74
剪切带(CT)
15000 : ¥6.72
卷带(TR)
1 : ¥22.74
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MOSFET N-CH 100 50A DFN5060MCAC50N10Y-TPMOSFET N-CH 100 50A DFN50605789 - 立即发货
1 : ¥20.34
剪切带(CT)
5000 : ¥5.77
卷带(TR)
1 : ¥20.34
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MOSFET P-CH 60V 60A DPAKMCU60P06-TPMOSFET P-CH 60V 60A DPAK895 - 立即发货
1 : ¥26.46
剪切带(CT)
2500 : ¥8.28
卷带(TR)
1 : ¥26.46
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MOSFET N-CH 60 85A DFN5060MCAC85N06Y-TPMOSFET N-CH 60 85A DFN50600 - 立即发货See Page for Pricing查看详情
发布日期: 2020-05-22