1000 V 超级结 X 级 HiPerFET™ 功率 MOSFET

Littelfuse 旗下的 IXYS 推出 1000 V 超级结 X 级 HiPerFET 功率 MOSFET 功率半导体产品线，针对软开关电源转换应用进行了优化。它们分别提供低至 66 毫欧和 113 纳库伦的导通电阻和栅极电荷。

1000 V 器件采用电荷补偿原理和专有工艺技术开发，具有超低的导通电阻、低栅极电荷和出色的 dv/dt 性能。它们的雪崩能力提高了其稳健性，防止由瞬态电压和寄生双极型晶体管意外导通引起的器件故障。此外，由于采用快速体二极管，这些超结 MOSFET 有助于提高效率。每个 MOSFET 可以取代多个并联连接的高导通电阻器件，从而简化设计，提高可靠性同时节省成本。

适合包括谐振模式电源、交流和直流电机驱动、DC-DC 转换器、机器人和伺服控制、智能电表、可再生能源逆变器、焊接逆变器和电池充电器等高效率、高功率密度应用。

具有 HiPerFET 二极管的 1000 V X 级功率 MOSFET 采用 TO-247、PLUS247、TO-268HV、SOT-227、TO-264 和 PLUS264 等国际标准尺寸封装。部件号包括 IXFH26N100X、IXFT32N100X、IXFK52N100X 和 IXFN74N100X，电流额定值分别为 26 A、32 A、52 A 和 74 A。