Insignis Technology Corporation

LPDDR4 和 LPDDR4X DRAM

Insignis 的 LPDDR4 和 LPDDR4X SDRAM 可用作 JEDEC 标准替代品

Insignis NLQ 系列 LPDDR4 DRAM 图片Insignis 提供可作为 JEDEC 标准直接替代品使用的 NLQ 系列 LPDDR4 和 NLX 系列 LPDDR4X SDRAM。每个器件有 1 或 2 个通道，每个通道有 8 个存储体和 16 个比特。这些产品使用双倍数据速率架构来实现高速工作。这种双倍传输速率架构本质上是 16N 预取架构，具有在 I/O 引脚上每个时钟周期传输两个数据字的接口。这些器件能以时钟的上升沿和下降沿为基准提供完全同步操作。数据路径是内部流水线式和 16N 位预取式，可实现很高的带宽。该 LPDDR4 器件在指令/地址 (CA) 总线上使用 2 或 4 时钟架构，以减少系统中的输入引脚数量。6 位 CABus 包含指令、地址和存储体信息。每个指令使用 1、2 或 4 个时钟周期，在此周期内指令信息在时钟的上升沿传输。

特性
  • AEC-Q100 测试和认证
  • 符合 RoHS 规范
  • 快速时钟频率：高达 2,133 MHz
  • 提供 2 Gb 至 32 Gb 容量范围
  • 工作温度范围：
    • 扩展测试 (ET)：-25°C 至 +85°C
    • 工业 (IT)：-40°C 至 +85°C
    • 汽车 (AT)：-40°C 至 +105°C
  • 支持 JEDEC 时钟抖动规范
  • 低电压内核和 I/O 电源
    • VDD1 = 1.8 V（1.7 V 至 1.95 V）
    • VDD2 = 1.1 V（1.06 V 至 1.17 V）
    • V DDQ = 0.6V（0.57V 至 0.65V）
  • 片上 ECC：
    • 单比特纠错（每 64 个比特），可最大程度提高可靠性
    • 每个通道提供可选的 ERR 输出信号，指示 ECC 事件的发生
    • 控制 ECC 功能的 ECC 寄存器
  • 配置：
    • 每个器件 2 个通道，x32
    • 每个器件 1 个通道，x16
  • 可编程读/写延迟
  • 可编程和实时猝发长度
  • 动态 ODT
  • 片载温度传感器
应用
  • 工业：
    • 工厂自动化
    • 游戏机
    • 嵌入式控制板
    • 工业 PC
    • 医疗
    • 印刷
  • 通信/监测
    • 远程/现场监测设备
    • 门禁/安防
    • 相机
    • 计量
  • 电信/网络：
    • 蜂窝天线
    • 路由器和交换机
    • 网络存储
  • 汽车/运输
    • 航空
    • 铁路
    • 海洋船舶
    • 驾驶员信息系统
    • 信息娱乐

NLQ Series LPDDR4 DRAMs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
IC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGANLQ26PFS-6NIT TRIC DRAM 2GBIT LVSTL 200FBGA1992 - 立即发货
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1 : ¥70.87
剪切带（CT）
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剪切带（CT）
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剪切带（CT）
2000 : ¥63.15
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发布日期： 2024-03-08