开关模式电源：CoolMOS™

Infineon Technologies 提供种类繁多的产品，包括高电压 MOSFET (CoolMOS™)、MOSFET 驱动器 IC (EiceDRIVER™)、控制 IC 碳化硅二极管 (thinQ!™)，可在各种 PFC 和 PWM 拓扑结构中使用，另外还提供用于同步整流的低电压 MOSFET (OptiMOS™)。 凭借这些产品，Infineon 始终能够紧跟能耗不断增加同时电力节省势在必行的时代步伐。

新型 600V CoolMOS™ C7 继承了之前 650V C7 系列的优良特性，为 PFC 拓扑结构提供一流的性能，但与 650V C7 不同的是，它还能在 LLC 等谐振拓扑结构中保持高性能的同时实现最高效率。 其全球最低的 Ron∗A (<1Ω.mm²) 实现了同类最佳的 RDS(on)/封装，如在 TO-220 封装中为 40mΩ。 结合采用 TO-247 4 引脚等创新封装（使用传感源概念），它可在大于 500W 的功率下实现更高的效率。 CoolMOS™ C7 具有最低的 Coss 和 Qg 值，可在提高开关频率的同时不影响效率，通过减小磁性元件尺寸，帮助应对系统功率密度和成本的挑战。

对于中低功率范围，推荐使用 CoolMOS™ CE，对于更高功率的高性价比 SMPS，推荐使用 CoolMOS™ P6。与 600V C7 相同，这两个系列都非常灵活，可在 PFC 级和 PWM 级中使用。

在用于同步整流时，OptiMOS™ 系列提供低导通电阻和电容，还可用于 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC。 在 PFC 级中，建议将 C7 与 SiC Gen 5 结合使用。 而 Infineon 控制 IC 支持 PFC、LLC 和准谐振反激等拓扑结构。

Infineon OptiMOS

适用于 SMPS 应用的特性

  • 可显著减小导通损耗和开关损耗
  • 使高级电源转换系统实现高功率密度和高能效
  • 业内一流的性价比
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600V CoolMOS™ C7

Infineon 提供的新型 600V CoolMOS™ C7 MOSFET 系列的 Eoss 损耗比 600V CoolMOS™ CP 降低了 50%，其工作方式类似于 GaN，并将效率提升到一个全新级别。 600V C7 可在 PFC 级和高端 PWM 级中使用，帮助您捆绑设计并降低设计成本。

RDS(on) [mΩ] TO-220 TO-247 TO-247 4 引脚
180/185 IPP60R180C7 IPW60R180C7  
99/104 IPP60R099C7 IPW60R099C7 IPZ60R099C7
40 IPP60R040C7 IPW60R040C7 IPZ60R040C7

由于具有同类产品最佳的 RDS(on) 和 Eoss 值，600V C7 在 PFC 和 ITTF 等硬开关拓扑结构中的损耗尤低。但与 650V C7 不同的是，600V CoolMOS™ C7 的 Qoss 和 QG 值很低，因而在软开关拓扑结构中的使用效果也非常好。 在 PFC 级和 PWM 级中，CoolMOS™ 产品也是理想之选。

由于具有最低的 Coss 和 Qg 值，CoolMOS™ C7 系列可在保持能效的同时提高开关频率。 从系统的角度来看，这意味着通过使用更小的磁性元件，提高功率密度和节省 BOM 成本。 通过将频率从 65kHz 提高到 130kHz，可在磁性元件中实现高达 30% 的材料成本节省。

此外，与其他任何超级结 MOSFET 相比，600V CoolMOS™ C7 具有更小的封装和更低的 RDS(on) x A 值（如 TO-220 封装为 40mΩ），因此在设计的可扩展性和模块化方面更具优势，即便对于较高功率范围应用也是如此，并因为设计尺寸较小，而为您节省了应用封装成本。

600V C7 技术与 TO-247 4 引脚等创新封装结合使用，还可为您带来多种选择——您可以选择进一步提高效率，或者利用组合，通过提高 RDS(on) 值在保持效率的同时节省成本。

600V 应用图标

优异性能与易用性的完美平衡

Infineon 凭借 CoolMOS™ P6 扩大了其市场领先的 CoolMOS™ 产品组合阵容，进而确立了高性价比超级结器件领域的新标准。 此高度创新的全新产品系列旨在保持设计简便性的同时，实现更高的系统能效。

CoolMOS™ CP 等高性能技术产品的重点是提供最佳性能，CoolMOS™ C6/E6 等技术产品更多地关注易用性，而 CoolMOS™ P6 则不但克服了这两类拓扑结构的不足，而且兼具两者的优点。

这些全新器件能在诸如服务器、电信整流器、PC 电源和游戏机等应用的软、硬开关 PFC 和 PWM 拓扑结构中实现高性能。 而且，CoolMOS™ P6 系列凭借其粒状组合拥有超越当今市面上任何一款超级结技术产品的出色性价比。

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CoolMOS™ 600V P6 产品组合

  TO-252 DPAK
TO-252 DPAK		 TO-220
TO-220		 TO-220 FullPAK
TO-220 FullPAK		 TO-247
TO-247
600 mΩ IPD60R600P6 IPP60R600P6 IPA60R600P6  
190/210 mΩ   IPP60R190P6 IPA60R190P6 IPW60R190P6

目标应用

  • 减少了栅极电荷 (Qg)
  • 更高的 Vth
  • 良好的体二极管坚固性
  • 经过优化的集成式 Rg
  • 提升了 dv/dt（从 50V/ns 开始） 
  • CoolMOS™ 品质以及 12 年以上的超级结技术产品制造经验

产品特性

  • 提升了能效，特别是在照明负载条件下
  • 因更早的关断而使之在软开关应用中实现了更高的能效
  • 适用于硬开关和软开关拓扑结构
  • 在能效、易用性和良好的开关动作可控性之间进行了优化平衡
  • 良好的耐用性和更高的能效
  • 卓越的品质和可靠性

应用

  • 服务器、电信整流器、PC 电源、游戏机的 PFC 级
  • 服务器、电信整流器、PC 电源、游戏机的 PWM 级 (TTF, LLC)

市场领先的全新一代超级结 MOSFET 产品

Infineon 凭借其作为超级结 MOSFET 领先供应商的丰富经验以及一流的创新能力，推出全新 500V CoolMOS™ CE 系列产品，扩大了 CoolMOS™ 产品组合的阵容。 作为市场领先的高电压功率 MOSFET 的全新技术平台，这些器件不仅没有牺牲易用性，而且还拥有快速开关超级结 MOSFET 的全部优点。

在消费类、PC 电源和照明等价格敏感型和目标应用中，500V CoolMOS™ CE 既满足更高的能效标准，又在市场中实现了最佳性价比。

500V CoolMOS™ CE 系列拥有诸如低区域特征导通电阻、输出电容中储能更少等现代超级结 MOSFET 的所有优点，而且具有体二极管出色的坚固性，实现了极低的低导通和开关损耗，并能使开关应用的能效更高、外形更紧凑、重量更轻、散热更少。

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CoolMOS™ 500V CE 产品组合

  TO-220 FullPAK
TO-220 FullPAK		 TO-252 DPAK
TO-252 DPAK		 TO-220
TO-220		 TO-247
TO-247		 IPAK
IPAK
950 mΩ IPA50R950CE IPD50R950CE     IPU50R950CE
800 mΩ IPA50R800CE IPD50R800CE      
650 mΩ IPA50R650CE IPD50R650CE      
500 mΩ IPA50R500CE IPD50R500CE IPP50R500CE    
380 mΩ IPA50R380CE IPD50R380CE IPP50R380CE    
280 mΩ IPA50R280CE IPD50R280CE IPP50R280CE IPW50R280CE  
190 mΩ IPA50R190CE   IPP50R190CE IPW50R190CE  

目标应用

  • 输出电容中的储能更少 (Eoss)
  • 出色的体二极管坚固性
  • 减少了反向恢复电荷 (Qrr)
  • 减少了栅极电荷 (Qg)

产品特性

  • 开关动作的易于控制
  • 比上一代 CoolMOS™ 产品拥有更优的轻负载能效
  • 相比标准 MOSFET，是更具成本优势的替代品
  • 拥有 CoolMOS™ 技术优异的品质和可靠性

应用

  • 消费
  • 照明
  • PC 电源

按封装而言，导通电阻市场领先、同类最佳

凭借新型 650 V CoolMOS™ C7 系列，Infineon 确立了诸如功率因数校正 (PFC) 之类硬开关应用的性能新水平。 这是 CP 系列的后继器件，它通过有效平衡多个关键参数建立了整个负载范围内的能效优势。

C7 能够做什么？

相比同类最佳的用于 SMPS 的前身 CoolMOS™ CP 器件，开关损耗减少了 30%

稳健性相对 CoolMOS™ CP 提高了 100%，从 50V/ns 提升至 100V/ns

650V 的范围为设计者提供超宽安全裕量，使之特别适合用于 SMPS。 这一新型 CoolMOS™ C7 系列受益于 Infineon 12 年的制造经验，秉承 Infineon 的杰出品质。

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CoolMOS™ C7 产品组合

  TO-263
TO-263		 TO-220
TO-220		 TO-247-3
TO-247-3		 TO-247-4
TO-247-4
225/230 mΩ IPB65R225C7 IPP65R225C7    
45 mΩ IPB65R045C7 IPP65R045C7 IPW65R045C7 IPZ65R045C7

特性

  • 650V 电压
  • 革命性的同类最佳 RDS(on) 封装
  • 输出电容中的储能更少 (Eoss)
  • 更低栅极电荷 Qg
  • 因封装尺寸更小或减少了零件数量而节省了空间
  • 12 年超级结技术制造经验

优势

  • 改进了安全裕量，同时适合用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
  • 最低的传导损耗/最小的封装
  • 低开关损耗
  • 更佳的轻负载效率
  • 增加了功率密度
  • 杰出的 CoolMOS™ 品质

应用

  • 电信
  • 服务器
  • 太阳能
  • PC 电源

拓扑结构

  • 功率因数校正 (PFC)
  • 太阳能升压
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