设置
快速交货
免运费
国际贸易术语
支付类型
市场产品
开关模式电源：CoolMOS™Infineon Technologies 提供种类繁多的产品，包括高电压 MOSFET (CoolMOS™)、MOSFET 驱动器 IC (EiceDRIVER™)、控制 IC 碳化硅二极管 (thinQ!™)，可在各种 PFC 和 PWM 拓扑结构中使用，另外还提供用于同步整流的低电压 MOSFET (OptiMOS™)。 凭借这些产品，Infineon 始终能够紧跟能耗不断增加同时电力节省势在必行的时代步伐。 新型 600V CoolMOS™ C7 继承了之前 650V C7 系列的优良特性，为 PFC 拓扑结构提供一流的性能，但与 650V C7 不同的是，它还能在 LLC 等谐振拓扑结构中保持高性能的同时实现最高效率。 其全球最低的 Ron∗A (<1Ω.mm²) 实现了同类最佳的 RDS(on)/封装，如在 TO-220 封装中为 40mΩ。 结合采用 TO-247 4 引脚等创新封装（使用传感源概念），它可在大于 500W 的功率下实现更高的效率。 CoolMOS™ C7 具有最低的 Coss 和 Qg 值，可在提高开关频率的同时不影响效率，通过减小磁性元件尺寸，帮助应对系统功率密度和成本的挑战。 对于中低功率范围，推荐使用 CoolMOS™ CE，对于更高功率的高性价比 SMPS，推荐使用 CoolMOS™ P6。与 600V C7 相同，这两个系列都非常灵活，可在 PFC 级和 PWM 级中使用。 在用于同步整流时，OptiMOS™ 系列提供低导通电阻和电容，还可用于 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC。 在 PFC 级中，建议将 C7 与 SiC Gen 5 结合使用。 而 Infineon 控制 IC 支持 PFC、LLC 和准谐振反激等拓扑结构。
600V CoolMOS™ C7Infineon 提供的新型 600V CoolMOS™ C7 MOSFET 系列的 Eoss 损耗比 600V CoolMOS™ CP 降低了 50%，其工作方式类似于 GaN，并将效率提升到一个全新级别。 600V C7 可在 PFC 级和高端 PWM 级中使用，帮助您捆绑设计并降低设计成本。
由于具有同类产品最佳的 RDS(on) 和 Eoss 值，600V C7 在 PFC 和 ITTF 等硬开关拓扑结构中的损耗尤低。但与 650V C7 不同的是，600V CoolMOS™ C7 的 Qoss 和 QG 值很低，因而在软开关拓扑结构中的使用效果也非常好。 在 PFC 级和 PWM 级中，CoolMOS™ 产品也是理想之选。 由于具有最低的 Coss 和 Qg 值，CoolMOS™ C7 系列可在保持能效的同时提高开关频率。 从系统的角度来看，这意味着通过使用更小的磁性元件，提高功率密度和节省 BOM 成本。 通过将频率从 65kHz 提高到 130kHz，可在磁性元件中实现高达 30% 的材料成本节省。 此外，与其他任何超级结 MOSFET 相比，600V CoolMOS™ C7 具有更小的封装和更低的 RDS(on) x A 值（如 TO-220 封装为 40mΩ），因此在设计的可扩展性和模块化方面更具优势，即便对于较高功率范围应用也是如此，并因为设计尺寸较小，而为您节省了应用封装成本。 600V C7 技术与 TO-247 4 引脚等创新封装结合使用，还可为您带来多种选择——您可以选择进一步提高效率，或者利用组合，通过提高 RDS(on) 值在保持效率的同时节省成本。 
|
|
|||||||||||||||||||
 |
||||||||||||||||||||
中国