Infineon Technologies

800 V CoolMOS™ P7 功率晶体管

Infineon 的 800 V CoolMOS P7 系列将小型 SOT-223 封装和高性能集于一体

Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率晶体管图Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 系列将最新的 CoolMOS P7 技术和创新的 SOT-223 封装整合在一起，带来了性价比最高的超级结结合技术以及高性价比封装解决方案。SOT-223 封装没有中间引脚，完全兼容 DPAK 封装的基底面，允许以更低的成本进行一对一直接替换和二次采购。800 V CoolMOS P7 系列受益于其低成本和节省空间的设计，以更低的功率耗散实现了媲美 DPAK 的热性能。800 V P7 的 RDS(on) 为 2.4 Ω。

Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率晶体管图 Infineon Technologies 的 800 V CoolMOS P7 功率晶体管图
特性和优势
  • 以较低的成本直接替换 DPAK
  • 节省空间的设计，低功率耗散
  • 热性能媲美 DPAK
  • 与类似竞争对手技术相比，具有成本优势
  • SOT-223 可节省成本和空间（外形更小）
  
  • 支持更高的开关频率，以减少磁性器件
  • SOT-223 与 CoolMOS P7 相结合，可进一步降低成本，提高性能和易用性
  • 在以下方面最适合目标应用
    • 散热和效率
    • 易用性水平
    • EMI 性能
应用    
  • 适配器
  • 充电器
  
  • 电视
  • 照明

800 V CoolMOS™ P7 Power Transistors

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223IPN80R3K3P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 1.9A SOT223882 - 立即发货
1 : ¥6.29
剪切带（CT）
3000 : ¥2.06
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1 : ¥6.29
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MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT223IPN80R2K4P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 2.5A SOT22313654 - 立即发货
1 : ¥8.60
剪切带（CT）
3000 : ¥2.41
卷带（TR）
1 : ¥8.60
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MOSFET N-CH 800V 7A SOT223IPN80R750P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 7A SOT22311293 - 立即发货
1 : ¥12.65
剪切带（CT）
3000 : ¥4.21
卷带（TR）
1 : ¥12.65
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MOSFET N-CH 800V 8A SOT223IPN80R600P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 8A SOT2231987 - 立即发货
1 : ¥14.31
剪切带（CT）
3000 : ¥4.83
卷带（TR）
1 : ¥14.31
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MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT223IPN80R1K2P7ATMA1MOSFET N-CH 800V 4.5A SOT2235827 - 立即发货
1 : ¥11.16
剪切带（CT）
3000 : ¥3.11
卷带（TR）
1 : ¥11.16
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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发布日期： 2018-08-14