Goford Semiconductor

P 沟道 MOSFET 系列 2

Goford P 沟道 MOSFET 采用先进的沟槽和 SGT 技术，提供低栅极电荷

Goford P 沟道 MOSFET 系列 2 图片Goford 提供 150 V 至 12 V 各种封装的 P 沟道 MOSFET，包括 DPAK、D2PAK、TO-220 和 POWER 封装的 P100 V。它们采用先进的沟槽和 SGT 技术，提供出色的 RDS(ON) 和低栅极电荷。它们可广泛应用于电源、电机控制、BMS 和太阳能逆变器。

特性
  • 简化的栅极驱动技术
  • 快速开关
  • 雪崩稳健性
  • 提供 ESD 保护产品
  • 符合 RoHS 规范且无卤素
应用
  • 电源开关
  • 直流/直流转换器
  • 逆变器

P-Channel MOSFETs Series 2

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
P-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-G20P10KEP-CH, -100V, 20A, RD(MAX)<116M@-1918 - 立即发货
1 : ¥11.66
剪切带（CT）
2500 : ¥3.11
卷带（TR）
1 : ¥11.66
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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MOSFET P-CH 100V 56A TO-220GT250P10TMOSFET P-CH 100V 56A TO-22079 - 立即发货
1 : ¥20.26
管件
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P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VTG12P10TEP-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT155 - 立即发货
1 : ¥9.76
管件
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P100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<G12P10KP100V,RD(MAX)<200M@-10V,RD(MAX)<544 - 立即发货
1 : ¥9.01
剪切带（CT）
2500 : ¥2.29
卷带（TR）
1 : ¥9.01
Digi-Reel® 得捷定制卷带
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发布日期： 2024-09-04