Goford Semiconductor

P 沟道 MOSFET 系列 1

Goford Semiconductor 的 P 60 V MOSFET 有 D2PAK、TO-220 和 POWER SO-8 封装选项

Goford P 沟道 MOSFET 系列 1 的图片Goford P 沟道 MOSFET 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)，其中沟道由大多数空穴作为电流载流子组成。P 沟道 MOSFET 特性的优点在于简化的栅极驱动技术，这通常可以降低总体成本。

Goford 提供多种封装选项，包括 D2PAK、TO-220 和 POWER SO-8 中的 P60V。它采用先进的沟槽和 SGT 技术，提供出色的 RDS(ON) 并且栅极电荷较低。可广泛应用于电源、BMS、太阳能逆变器。Goford 提供 -150 V 至 -12 V 的 MOSFET。

特性
  • 简化的栅极驱动技术
  • 快速开关
  • 雪崩稳健性
  • 提供 ESD 保护产品
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
应用
  • 电源开关
  • 直流/直流转换器
  • 逆变器

P-Channel MOSFET Series 1

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8LGT065P06D5MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L2936 - 立即发货$12.23查看详情
P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-G700P06D5P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-4854 - 立即发货$4.02查看详情
MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8LG230P06D5MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L4910 - 立即发货$6.65查看详情
P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-G300P06D5P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-4962 - 立即发货$5.91查看详情
P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3VG65P06D5P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V3112 - 立即发货$12.89查看详情
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTG080P06MP-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT750 - 立即发货$15.52查看详情
MOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26GT038P06MMOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-26739 - 立即发货$24.79查看详情
P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5G700P06TP-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5164 - 立即发货$5.50查看详情
P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-G230P06TP-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-59 - 立即发货$7.88查看详情
P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~G65P06TP-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~120 - 立即发货$10.84查看详情
P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTHGT065P06TP-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH110 - 立即发货$13.79查看详情
MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<GT042P06TMOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<100 - 立即发货$22.49查看详情
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTG080P06TP-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT104 - 立即发货$14.94查看详情
发布日期： 2024-07-15