P 沟道 MOSFET 系列 1

Goford Semiconductor 的 P 60 V MOSFET 有 D2PAK、TO-220 和 POWER SO-8 封装选项

Goford P 沟道 MOSFET 系列 1 的图片Goford P 沟道 MOSFET 是一种金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET),其中沟道由大多数空穴作为电流载流子组成。P 沟道 MOSFET 特性的优点在于简化的栅极驱动技术,这通常可以降低总体成本。

Goford 提供多种封装选项,包括 D2PAK、TO-220 和 POWER SO-8 中的 P60V。它采用先进的沟槽和 SGT 技术,提供出色的 RDS(ON) 并且栅极电荷较低。可广泛应用于电源、BMS、太阳能逆变器。Goford 提供 -150 V 至 -12 V 的 MOSFET。

特性
  • 简化的栅极驱动技术
  • 快速开关
  • 雪崩稳健性
  • 提供 ESD 保护产品
  • 符合 RoHS 标准,无卤素
应用
  • 电源开关
  • 直流/直流转换器
  • 逆变器

P-Channel MOSFET Series 1

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET P-CH  60V 200A 350W TO-26GT038P06MMOSFET P-CH 60V 200A 350W TO-260
1 : ¥34.15
剪切带(CT)
800 : ¥12.34
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MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8LGT065P06D5MOSFET P-CH 60V 103A DFN5*6-8L2400 - 立即发货
1 : ¥18.77
剪切带(CT)
5000 : ¥5.17
卷带(TR)
1 : ¥18.77
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P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-G700P06D5P-60V,-25A,RD(MAX)<70M@-10V,VTH-3759 - 立即发货
1 : ¥6.28
剪切带(CT)
5000 : ¥1.39
卷带(TR)
1 : ¥6.28
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MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8LG230P06D5MOSFET P-CH 60V 48A DFN5*6-8L4790 - 立即发货
1 : ¥10.17
剪切带(CT)
5000 : ¥2.45
卷带(TR)
1 : ¥10.17
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P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-G300P06D5P-60V,-40A,RD(MAX)<30M@-10V,VTH-4788 - 立即发货
1 : ¥9.34
剪切带(CT)
5000 : ¥2.20
卷带(TR)
1 : ¥9.34
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P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3VG65P06D5P60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2V~-3V1446 - 立即发货
1 : ¥12.90
剪切带(CT)
5000 : ¥3.23
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1 : ¥12.90
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P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTG080P06MP-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT589 - 立即发货
1 : ¥22.33
剪切带(CT)
800 : ¥7.54
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1 : ¥22.33
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P-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.5G700P06TP-60V,25A,RD<70M@-10V,VTH1V~-2.542 - 立即发货
1 : ¥8.85
管件
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P-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-G230P06TP-60V,-60A,RD(MAX)<20M@-10V,VTH-49 - 立即发货
1 : ¥12.57
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P-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~G65P06TP-60V,RD(MAX)<18M@-10V,VTH-2.0V~34 - 立即发货
1 : ¥15.88
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P-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTHGT065P06TP-60V,-82A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTH139 - 立即发货
1 : ¥20.43
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MOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<GT042P06TMOSFET, P-CH,-60V,-160A,RD(MAX)<0See Page for Pricing查看详情
P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VTG080P06TP-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT13 - 立即发货
1 : ¥21.75
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发布日期: 2024-07-15