GD25WD SPI NOR 闪存

GigaDevice 提供超低功耗闪存系列,具有零深度待机电流

GigaDevice 的 GD25WD SPI NOR 闪存图片GIGADEVICE 提供 GD25WD 系列,具有零深度待机电流和低有源读取电流,适用于低功耗应用。GD25WD 系列亮点包括零待机电流和 1.65 V 至 3.6 V 的宽电压范围。

128 位唯一 ID 功能还为低功耗应用提供增强的安全性。

特性
  • 电压:1.65 V 至 3.6 V
  • 密度:512 Kb ~ 8 Mb
  • 接口:单/双 SPI
  • 双 SPI 数据传输速率高达每秒 160 Mb
  • 灵活的内存架构(扇区大小:4K 字节,块大小:32/64K 字节)
  • 高可靠性,20 年数据保留和 100,000 次编程/擦除周期
  • 宽工作温度范围:-40°C 至 125°C
 
  • 功耗:
    • 零待机电流:0.1 μA(无需断电)
    • 在 40 MHz 时读取电流低至 3 mA
    • 编程/擦除电流:< 10 mA
  • 高级安全功能:128 位唯一 ID 支持最小的 USON8 (1.5 mm x 1.5 mm) 和 KGD 晶圆选项
应用
  • 手机
  • 物联网设备
  • 消费类产品
  • 蓝牙连接设备
  • 可穿戴设备
  • 健康监测设备

GD25WD SPI NOR Flash Memory

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发布日期: 2019-06-10