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EPC2111 30 V eGaN® 晶体管半桥

EPC 的 EPC2111 增强型 GaN 功率晶体管半桥可提高效率和功率密度

EPC 的 EPC2111 30 V eGaN® 晶体管半桥的图片EPC 的 30 V eGaN 半桥 EPC2111 将两个 eGaN 功率 FET 集成到一个器件中，提高了效率和功率密度，同时降低了最终用户电源转换系统的组装成本。EPC2111 采用芯片级封装，可提高开关速度和散热性能，仅为 3.5 mm x 1.5 mm，可提高功率密度。该设备的主要应用是笔记本电脑和平板电脑计算。GaN 的高频能力可缩小功率转换所需的尺寸，因此将大大减小下一代移动计算的尺寸。

特性
  • 高频能力
    • 单片集成消除了互连器件电感，可在更高频下实现更高能效
  • 高能效
    • 降低了传导和开关损耗，实现了零反向恢复损耗
  • 小型封装
    • 低电感、外形极小、3.5 mm x 1.55 mm BGA 表面贴装钝化内核
应用
  • 高频 DC/DC 电源转换
  • 笔记本电脑和平板电脑计算

EPC2111 30 V eGaN® Transistor Half-Bridge

图片制造商零件编号描述25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）可供货数量价格查看详情
MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEEPC2111MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE16A（Ta）19 毫欧 @ 15A，5V，8 毫欧 @ 15A，5V2.5V @ 5mA19485 - 立即发货$29.55查看详情

Evaluation Boards

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
EVAL BOARD FOR EPC2111EPC9086EVAL BOARD FOR EPC211127 - 立即发货$1,628.02查看详情
EVAL BOARD FOR EPC2111EPC9204EVAL BOARD FOR EPC21110 - 立即发货$1,064.80查看详情
发布日期： 2019-08-16

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