EPC2111 30 V eGaN® 晶体管半桥

EPC 的 EPC2111 增强型 GaN 功率晶体管半桥可提高效率和功率密度

EPC 的 EPC2111 30 V eGaN® 晶体管半桥的图片EPC 的 30 V eGaN 半桥 EPC2111 将两个 eGaN 功率 FET 集成到一个器件中,提高了效率和功率密度,同时降低了最终用户电源转换系统的组装成本。EPC2111 采用芯片级封装,可提高开关速度和散热性能,仅为 3.5 mm x 1.5 mm,可提高功率密度。该设备的主要应用是笔记本电脑和平板电脑计算。GaN 的高频能力可缩小功率转换所需的尺寸,因此将大大减小下一代移动计算的尺寸。

特性
  • 高频能力
    • 单片集成消除了互连器件电感,可在更高频下实现更高能效
  • 高能效
    • 降低了传导和开关损耗,实现了零反向恢复损耗
  • 小型封装
    • 低电感、外形极小、3.5 mm x 1.55 mm BGA 表面贴装钝化内核
应用
  • 高频 DC/DC 电源转换
  • 笔记本电脑和平板电脑计算

Evaluation Boards

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发布日期: 2019-08-16