Diotec Semiconductor

DI2A2N100D1K 功率 MOSFET

Diotec Semiconductor 的 DI2A2N100D1K 高压 MOSFET 提供栅极保护和低 RDSon

Diotec 的 DI2A2N100D1K 功率 MOSFET 图片Diotec Semiconductor DI2A2N100D1K 是 DPAK 封装的 N 沟道高压功率 MOSFET。在标称 2.2 A 和 1000 V 时，它具有高漏源电压、低导通电阻、快速开关时间、雪崩额定值和 ESD 保护等特点。这些设备旨在确保最苛刻的应用具有高 dv/dt 能力，从而提高整体效率。工作结温范围：-55°C 至 +150°C因此，这些部件非常适合各种商业和工业应用，主要是开关应用，包括能量计、电池管理系统、电源、DC/DC 转换器等等。

资源
特性
  • 高漏源电压
  • ESD 保护型栅极
  • 开关速度快
  • 低栅极电荷
  • 低热阻
  • 具有雪崩耐量评级
应用
  • 电源
  • BMS
  • 电表
  • 直流/直流转换器
  • 信号交换
具体规格
  • 1000 V 漏源电压 (VDSS)
  • 2.2 A 连续漏极电流 (ID)
  • 典型 5.4 R 导通电阻 (RDS(on))
  • 1 µA 漏源漏电流 (IDSS)
  • ±25 V 连续栅极源电压 (VGSS)
  • 30 W 功率耗散 (Ptot)
  • 25 A 峰值漏极电流 (IDM)
  • 8 A 连续源电流 (IS)
  • 6 A 峰值源电流 (ISM)
  • 45 mJ 单脉冲雪崩能量 (EAS)
  • < 4.2 K/W 热阻 (RthC)
  • -55°C 至 +150°C 工作结温范围 (TJ)
  • 栅极源 ESD 保护 2000 V

DI2A2N100D1K Power MOSFET

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2ADI2A2N100D1KMOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A4970 - 立即发货
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发布日期： 2024-04-10