碳化硅 (SiC) MOSFET 和二极管

Diodes Incorporated 的创新宽带隙 (WBG) 材料比硅材料更具有优势

Diodes Incorporated 碳化硅 (SiC) MOSFET 和二极管图片Diodes Incorporated 的 WBG 材料比硅材料更具优势,例如,SiC 可以承受比硅高出 5 倍 (3 kV) 的电压,且击穿电压 (BV) 更高。SiC 的开关速度也比硅快 10 倍,可将开关损耗降至最低。导热性能高 3 倍,可提高功率耗散、减小散热器尺寸。相较于 GaN,SiC 的热导率更高和封装密度更大,因此更适合高功率应用。

SiC MOSFET

与硅 MOSFET 相比,选择 SiC MOSFET 具有更多优势,例如开关频率更高,电感器、电容器、滤波器和变压器等元件尺寸更小等。

Diodes 1200 V SiC MOSFET 专为要求最高效率和紧凑设计的高压开关电源应用而设计。这款产品采用高输出电流、低导通电阻以及行业标准 TO263-7、TO247 和 TO247-4 封装,非常适合电机驱动器、DC/DC 转换器、太阳能逆变器以及电动汽车电池充电器应用。

SiC 二极管

Diodes SiC Schottky 二极管电压范围为 650 V 到 1200 V。这款产品提供绝缘 TO220、标准 TO220 以及 TO252 等多种封装选择,为追求效率、稳健性和快速上市的设计人员提供了极大的灵活性。Diodes 汽车级 650 V 和 1200 V SiC 二极管符合 AEC-Q101 标准。

Silicon Carbide (SiC) MOSFETs

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SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 TDMWSH120H90SM3QSIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247 T0 - 立即发货
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Silicon Carbide (SiC) Diodes

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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252DSC04C065D1-13SILICON CARBIDE RECTIFIER TO2522380 - 立即发货$11.23查看详情
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252DSC06C065D1-13SILICON CARBIDE RECTIFIER TO2522490 - 立即发货$12.29查看详情
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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO252DSC08C065D1-13SILICON CARBIDE RECTIFIER TO2522495 - 立即发货$15.63查看详情
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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220ADSC06A065SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A46 - 立即发货$16.28查看详情
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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220ADSC04A065SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A90 - 立即发货
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SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220ADSC06C065SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A30 - 立即发货
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SILICON CARBIDE RECTIFIER ITO-22DSC08A065FPSILICON CARBIDE RECTIFIER ITO-2250 - 立即发货$18.97查看详情
SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220ADSC08A065SILICON CARBIDE RECTIFIER TO220A50 - 立即发货$18.97查看详情
发布日期: 2024-10-09