DGD05473 高频栅极驱动器

Diodes DGD05473 高频栅极驱动器支持驱动 N 沟道 MOSFET浮动高压侧驱动器的额定电压最高 50 V。器件逻辑输入与标准 TTL 和 CMOS 电平（低至 3.3 V）兼容，可轻松与 MCU 连接。高压侧和低压侧的 UVLO 可保护 MOSFET 免受电源损耗。为保护 MOSFET，交叉传导防止逻辑会防止 HO 和 LO 输出同时开启。快速且匹配良好的传播延迟允许更高的开关频率，从而使用更小的相关组件实现更小、更紧凑的电源开关设计。为最大限度减少空间占用，包含一个内部阴极负载二极管。DGD05473 的工作温度范围是 -40°C 至 +125°C，采用 U-DFN3030-10 封装。