Central Semiconductor Corp.

氮化镓 (GaN) N 沟道 FET

Central Semiconductor 的 FET 专为具有高效率标准的软开关应用而设计

Central Semiconductor 氮化镓 (GaN) N 沟道 FET 图片Central Semiconductor 氮化镓 N 沟道 FET 将高电压能力与低 RDS(ON) 相结合，专为具有高效率标准的软开关应用而设计。节省空间的 DFN 和芯片级封装非常适合高功率无线充电、功率因数校正 (PFC) 和电动汽车逆变器应用。这些 GaN FET 提供支持 60 A 的 100 V 型号或支持 11 A 或 17 A 的 650 V 型号。40 V 选项支持 20 A 或 50 A，并且可根据需求提供裸芯片。

特性

  • 高电压耐受能力
  • 低栅极电荷
  • RDS(ON) 低至 3.2 mΩ
  • 高效快速切换

Gallium Nitride (GaN) N-Channel FETs

图片制造商零件编号描述可供货数量价格查看详情
650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6511N TR13 PBFREE650V, 11A, N-CHANNEL GAN FET IN2335 - 立即发货$39.40查看详情
650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET INCDF56G6517N TR13 PBFREE650V, 17A, N-CHANNEL GAN FET IN2498 - 立即发货$46.43查看详情
100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALECCSPG1060N TR PBFREE100V, 60A, N-CHANNEL CHIP SCALE1442 - 立即发货$44.20查看详情
发布日期： 2023-12-19