600 V UltraMOS™ MOSFET

Central Semiconductor 的 600 V UltraMOS MOSFET 具有高电压能力、低栅极电荷

Central Semiconductor 的 600V UltraMOS™ MOSFET 图片Central Semiconductor 的 CDM4-600LR (4 A, DPAK)、CDM7-600LR (7 A, DPAK) 和 CDM22011-600LRFP (11 A, TO 220FP) 是 UltraMOS 系列高电压、高能效 MOSFET 的首批器件,设计旨在最大限度降低总导通损耗,同时实现最高功率密度。 这些器件采用行业标准封装和定制封装。

特性 应用
  • 高电压耐受能力
  • 低栅极电荷
  • 超低 RDS(ON)
  • 功率因数校正 (PFC)
  • 固态照明 (SSL)
  • 替代能源逆变器

UltraMOS MOSFETs

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MOSFET N-CH 600V 11A TO220FPCDM22011-600LRFP SLMOSFET N-CH 600V 11A TO220FP576 - 立即发货
1 : ¥25.39
管件
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发布日期: 2015-10-06